ST-VUV25 SiC 真空紫外光电二极管
型号：ST-VUV25
产品简介
ST-VUV25 是基于碳化硅（SiC）的真空紫外（VUV）光电二极管，专为 193nm ArF 准分子激光与 VUV 辐射通量测量设计。光伏模式工作、可见光盲、低暗电流，在高通量 VUV 辐照下稳定性优异；TO-8 金属外壳配蓝宝石窗口，适用于准分子激光监测、VUV 光强标定与辐射计量。产品描述
【产品概述】
ST-VUV25 是苏州镓诺光电（GaNo Optoelectronics）制造的碳化硅（SiC）真空紫外光电二极管。SiC 材料具有宽带隙、可见光盲特性，配合光伏模式工作，暗电流极低；该器件在 193nm 深紫外高通量辐照下保持优异的响应稳定性，是 193nm ArF 准分子激光监测与 VUV 辐射通量测量的理想探测元件。
【主要特点】
- SiC 基真空紫外（VUV）光电二极管
- 高通量 VUV 辐照下稳定性优异
- 光伏模式工作（零偏置），可见光盲、暗电流低
- 193nm VUV 辐射高探测效率（响应度 50 mA/W @193nm）
- TO-8 金属外壳，蓝宝石窗口
【技术参数】
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 芯片尺寸 | A | 25 | mm² |
| 响应度（@193nm） | R | 50 | mA/W |
| 暗电流（Vr=-5V） | Id | < 10 | pA |
| 电容（0V，1MHz） | Cp | 960 | pF |
| 上升时间（0V，RL=50Ω） | tr | < 2 | μs |
| 工作温度范围 | Topt | -20 ~ 80 | °C |
| 存储温度范围 | Tsto | -55 ~ 90 | °C |
| 最大反向电压 | Vr-max | -20 | V |
| 焊接温度（3s） | Tsol | 260 | °C |
【应用领域】
- VUV 辐射通量测量
- 193nm ArF 准分子激光功率/能量监测
- 深紫外光老化测试系统中的光强标定
技术参数
| 芯片尺寸 | 25 mm² |
| 响应度（@193nm） | 50 mA/W |
| 暗电流（Vr=-5V） | < 10 pA |
| 电容（0V，1MHz） | 960 pF |
| 上升时间（0V，RL=50Ω） | < 2 μs |
| 工作温度范围 | -20 ~ 80 °C |
| 存储温度范围 | -55 ~ 90 °C |
| 最大反向电压 | -20 V |
| 焊接温度（3s） | 260 °C |
| 封装 | TO-8 金属外壳，蓝宝石窗口 |
技术数据
ST-VUV25 技术规格